La nouvelle architecture des composants flash de Toshiba permet d’accroître la densité de mémoire sans augmenter la taille des puces.A l’occasion du VLSI symposium (qui se tient du du 12 au 14 juin 2007 à Tokyo), Toshiba présente une nouvelle avancée technologique en matière de conception de composants de mémoire Flash. Le créateur de la technologie flash NAND en 1989 vient de mettre au point une nouvelle architecture en “trois dimensions” des cellules de stockage. Dans la nouvelle structure, les couches des cellules de stockage sont traversées par des électrodes en silicium disposées en colonnes et qui viennent à leur tour augmenter le nombre de cellules mémoire.Toshiba a déclaré poursuivre les développements de sa nouvelle structure, notamment en regard des exigences de sécurité et de fiabilité des technologies flash actuelles.

Article paru sur vnunet.fr