Les capacités augmentent, et les prix diminuent petit à petit : la technologie SSD (Solid State Drive) serait-elle en passe de se démocratiser ? Toshiba vient ainsi d’annoncer la mise au point d’un dispositif de stockage de type SSD, qui utilise donc des modules de mémoire Flash en lieu et place des plateaux magnétiques des disques durs traditionnels, affichant une capacité de 256 Go. Toshiba évoque par ailleurs la mise au point de modules de mémoire Flash de dimensions réduites, destinés à être implémentés dans des machines de type netbooks, ces modules affichent des débits de l’ordre de 80 Mo/s en lecture et de 50 Mo/s en écriture.

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Toshiba a réussi à mettre au point une puce de mémoire flash ayant une capacité de 32 Go ! Lui permettant ainsi d’être intégrée aux téléphones portables et autres baladeurs. Les premiers échantillons sortiront des usines dès le mois prochain et la production de masse débutera aux alentours du quatrième trimestre 2008.

Préparez-vous donc à voir débarquer des appareils portables disposant d’un espace de stockage accru dès la fin de l’année. Apple se fournit en mémoire flash chez Toshiba.

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Samsung et Toshiba, deux sociétés concurrentes dans le domaine de la mémoire flash, vont travailler ensemble.

Samsung est le fournisseur d’Apple, Toshiba de Sandisk. Les deux sociétés représentent une grosse partie du marché et un accord est intéressant : outre le fait de partager des technologies, les consommateurs auront a priori plus de choix.

Au final, cette nouvelle va peut-être accélérer l’arrivée des SSD…

Article paru sur dandu.be

Toshiba prévoit la production de mémoire flash gravée à une finesse de 30 nm pour la seconde moitié de l’année 2009. La firme avait déjà annoncé un passage au 43 nm dès l’année 2008, elle produit actuellement sa mémoire flash en 56 nm.

La nouvelle usine de Toshiba et Sandisk, récemment ouverte dans la préfecture de Mie au Japon, devrait commencer la production de mémoire flash en 43 nm dès le mois de décembre prochain, pour une commercialisation en 2008. La course à la finesse de gravure se fait toujours dans une même optique : placer plus de puces sur une même galette de silicium (wafer), pour réduire les coûts de production et tenter de prendre l’avantage sur les tarifs pratiqués sur le marché. De quoi mettre la pression sur Samsung.

Si le passage au 30 nm est prévu pour la seconde moitié de l’année 2009, la production massive de cette mémoire est plutôt prévue pour mars 2010, d’ici là, Samsung a encore le temps de se mettre à niveau. Le Coréen s’est d’ailleurs allié avec IBM, Infineon Chartered Semiconductor et Freescale pour atteindre les 32 nm en 2010.

Article paru sur pcinpact

La nouvelle architecture des composants flash de Toshiba permet d’accroître la densité de mémoire sans augmenter la taille des puces.A l’occasion du VLSI symposium (qui se tient du du 12 au 14 juin 2007 à Tokyo), Toshiba présente une nouvelle avancée technologique en matière de conception de composants de mémoire Flash. Le créateur de la technologie flash NAND en 1989 vient de mettre au point une nouvelle architecture en “trois dimensions” des cellules de stockage. Dans la nouvelle structure, les couches des cellules de stockage sont traversées par des électrodes en silicium disposées en colonnes et qui viennent à leur tour augmenter le nombre de cellules mémoire.Toshiba a déclaré poursuivre les développements de sa nouvelle structure, notamment en regard des exigences de sécurité et de fiabilité des technologies flash actuelles.

Article paru sur vnunet.fr

Toshiba a annoncé avoir mis au point une nouvelle technique de fabrication de mémoire NAND Flash. Le procédé permet d’empiler les transistors en trois dimensions, et donc d’augmenter la densité de stockage. La technique inventée par Toshiba est aussi très intéressante car elle n’implique pas de lourdes modifications des procédés de fabrication existant. En effet, Toshiba a pris le problème de l’empilement des cellules mémoire à l’envers de la vision de ses concurrents. De plus, dans ce système, les circuits de contrôles ne sont pas dupliqués pour chaque couche mais mutualisés. Grâce à cela, Toshiba obtient une augmentation 10 plus importante de la densité des cellules mémoires que les techniques classiques. Enfin, le procédé est moins coûteux car plus rapide que l’empilement successif de plusieurs couches. Reste à Toshiba à fiabiliser son procédé.

Article paru sur presence-pc