Product Reviews has done as its name suggests and given the Satellite L305-S5891 laptop a jolly good look, and informed readers on the findings.

So what can you expect to get from the L305-S5891? Well, there is “a powerful dual-core processor and 2GB of DDR2 system memory to help with multitasking” and “a DVD SuperMulti drive with Labelflash technology”. All impressive stuff.

The only downside they make a point of mentioning is that while the Intel Graphics Media Accelerator 4500M “will get most jobs done … it’s not ideal for gamers thanks to sharing the main system memory.” All in all though, for a laptop around the £430 mark, the Satellite L305-S5891 is definitely an option.

Les capacités augmentent, et les prix diminuent petit à petit : la technologie SSD (Solid State Drive) serait-elle en passe de se démocratiser ? Toshiba vient ainsi d’annoncer la mise au point d’un dispositif de stockage de type SSD, qui utilise donc des modules de mémoire Flash en lieu et place des plateaux magnétiques des disques durs traditionnels, affichant une capacité de 256 Go. Toshiba évoque par ailleurs la mise au point de modules de mémoire Flash de dimensions réduites, destinés à être implémentés dans des machines de type netbooks, ces modules affichent des débits de l’ordre de 80 Mo/s en lecture et de 50 Mo/s en écriture.

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Toshiba a réussi à mettre au point une puce de mémoire flash ayant une capacité de 32 Go ! Lui permettant ainsi d’être intégrée aux téléphones portables et autres baladeurs. Les premiers échantillons sortiront des usines dès le mois prochain et la production de masse débutera aux alentours du quatrième trimestre 2008.

Préparez-vous donc à voir débarquer des appareils portables disposant d’un espace de stockage accru dès la fin de l’année. Apple se fournit en mémoire flash chez Toshiba.

Vu sur mp3.generationmp3

Gentlemanunlike hat Propleme nach einem BIOS-Crash. Er besitzt einen Toshiba Satellite P10-831 und hat nach einem Update (BIOS) eine falsche Datei geflasht. Zitat: “…Ich sehe den Toshiba Splashscreen und kann in die BIOS Einstellungen, booten iss nich. Habe schon versucht über das laden CMOS Defaults was zu reißen, aber Fehlanzeige…” Wer ihm bitte weiterhelfen kann, HIER klicken und ihr gelangt zum originalen Forumsbeitrag auf notbookforum.at!

Toshiba et l’américain Sandisk devraient s’unir autour de la construction de deux nouveaux sites de production de mémoires flash NAND. L’opération d’un coût estimé à 1800 milliards de yens, l’équivalent de 11.36 milliards de dollars, permettra à Toshiba de multiplier par quatre sa capacité de production.

Les travaux devraient débuter au début du prochain exercice fiscal pour un rendement optimum attendu pour 2013-2014.

Article paru sur erenumerique

Le groupe d’électronique japonais Toshiba a annoncé avoir développé une structure de matériaux permettant d’augmenter la densité de stockage de données sur semi-conducteurs à un niveau tel qu’il envisage la fabrication de mémoires flash d’une capacité de 100 Gigaoctets.Toshiba a précisé avoir conçu une nouvelle structure semi-conductrice constituée de couches ultra-minces, sorte de sandwich de différents matériaux, qui permet une écriture plus rapide des données en exploitant les changements de résistance intervenant naturellement avec les variations de puissance électrique.De ce fait, le groupe pense que, d’ici quatre ou cinq ans, il sera capable de produire en masse des puces-mémoire flash d’une capacité de stockage plus de six fois supérieure à celle des modèles actuels, soit environ 100 Gigaoctets (Go). Cette capacité équivaut quasiment à celle des disques durs qui équipent aujourd’hui les baladeurs numériques les mieux dotés.Article paru sur afp.google.com

Sur 01net on parle des premiers prototypes qui seront présentés au prochain Consumer Electronics Show à Las Vegas. Toshiba produira trois tailles de disques durs Flash : 32, 64 et 128 Go.

On n’est jamais mieux servi que par soi-même. Toshiba vient d’annoncer son entrée sur le marché des disques durs à mémoires Flash NAND, destinés principalement aux ordinateurs portables. Sur certains de ses propres modèles, le constructeur avait déjà commencé à remplacer les disques durs classiques par ce type de mémoire. Il a visiblement été convaincu.

Samsung et Toshiba, deux sociétés concurrentes dans le domaine de la mémoire flash, vont travailler ensemble.

Samsung est le fournisseur d’Apple, Toshiba de Sandisk. Les deux sociétés représentent une grosse partie du marché et un accord est intéressant : outre le fait de partager des technologies, les consommateurs auront a priori plus de choix.

Au final, cette nouvelle va peut-être accélérer l’arrivée des SSD…

Article paru sur dandu.be

Les groupes d’électronique diversifiés japonais Toshiba et sud-coréen Samsung Electronics ont annoncé lundi un accord de licence réciproque permettant à chacun de produire, promouvoir et vendre des mémoires flash NAND basées sur les spécifications techniques de l’autre.Cet accord devrait entraîner une plus grande disponibilité sur le marché de puces mémoire haut de gamme OneNAND et LBA-NAND, composants de plus en plus demandés.”Cela va donner un formidable coup d’accélérateur au développement du secteur”, a affirmé un directeur de l’activité des mémoires de Toshiba, Masaki Momodomi, cité dans le communiqué.Article paru sur afp.google

Toshiba prévoit la production de mémoire flash gravée à une finesse de 30 nm pour la seconde moitié de l’année 2009. La firme avait déjà annoncé un passage au 43 nm dès l’année 2008, elle produit actuellement sa mémoire flash en 56 nm.

La nouvelle usine de Toshiba et Sandisk, récemment ouverte dans la préfecture de Mie au Japon, devrait commencer la production de mémoire flash en 43 nm dès le mois de décembre prochain, pour une commercialisation en 2008. La course à la finesse de gravure se fait toujours dans une même optique : placer plus de puces sur une même galette de silicium (wafer), pour réduire les coûts de production et tenter de prendre l’avantage sur les tarifs pratiqués sur le marché. De quoi mettre la pression sur Samsung.

Si le passage au 30 nm est prévu pour la seconde moitié de l’année 2009, la production massive de cette mémoire est plutôt prévue pour mars 2010, d’ici là, Samsung a encore le temps de se mettre à niveau. Le Coréen s’est d’ailleurs allié avec IBM, Infineon Chartered Semiconductor et Freescale pour atteindre les 32 nm en 2010.

Article paru sur pcinpact